碳化硅（SiC）已成为工业电子领域最重要的宽禁带半导体之一，由于其高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势，特别是对于大功率半导体器件，碳化硅优于硅，更受青睐。而碳化硅（SiC）外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数直接决定着SiC器件的各项电学性能。因此，碳化硅外延技术对于碳化硅器件性能的充分发挥具有决定性的作用，是宽禁带半导体产业重要的一环。不知您是否为外延层厚度无损分析问题而困扰，在此我们介绍一种光学无损外延层厚度分析技术——傅立叶变换红外反射光谱法（FTIR）。
红外光谱法可用于测量半导体外延层厚度，无论硅基还是化合物半导体，且测量精度极高。此方法是基于红外光在层状结构中产生的光干涉效应的分析，结合基础的物理自洽拟合模型，充分利用所测得的光谱特征，拟合计算给出准确的层厚厚度值。对于掺杂后折射率参数很难准确确定的情况下，不仅可用于单层外延层层厚分析，更重要的可以用于复杂多层结构外延层层厚分析。结合布鲁克INVENIO，VERTEX系列宽波段光谱仪，可用于亚微米量级至毫米量级的外延层层厚分析。
 
单层 多层
 
多点测试
  
*红色曲线：实际测试曲线
*蓝色曲线：模型拟合计算曲线以及厚度结果 |
