碳化硅（SiC）已成为工业电子领域最重要的宽禁带半导体之一，由于其高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势，特别是对于功率半导体器件，碳化硅优于硅，更受青睐。成熟的商用碳化硅器件如碳化硅肖特基二极管和MOSFETs（金属氧化物半导体场效应晶体管），这些器件已应用于铁路、工业逆变器、航空航天、可再生能源风力涡轮机或光伏发电，以及电动或混合动力汽车等领域。企业和研究机构仍在致力于SiC相关的研究开发工作，如进一步发展的“绿色"项目，用于太阳能汽车的移动太阳能收集系统等。
SiC与其他半导体材料的性能比较
在SiC材料的研究与开发中，傅立叶变换红外光谱技术（FT-IR）是一种简单而有效的研究其各种性能的工具。它可以用于测定掺杂浓度、外延层厚度或声子光谱，对晶体结构和质量提供有价值的信息。基于傅立叶变换红外的光致发光光谱技术（FT-PL）可以提供额外的信息，如能带结构和电荷载流子的细节。透射光谱技术可以研究半导体的带隙、激子和其他电子特性。此外，碳化硅杂质和缺陷分析也是材料开发和质量控制的重要步骤。
布鲁克（Bruker）公司的VERTEX和INVENIO系列研究级傅立叶变换红外光谱系统，可以覆盖从FIR到VIS/UV的宽光谱范围，拥有最佳的步进扫描技术和出色的性能，可选真空光学台，是上述许多应用的分析系统。布鲁克公司几十年以来一直支持半导体研发，并将为可再生能源和其他与可持续发展有关的领域做进一步贡献，使世界变得更美好。
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